직무 · 삼성전자 / 공정기술
트랜지스터에 High-k Depo 전 Initial Layer(SiO2) → SiON 으로 질화하는 목적이 무엇인가요? SiO2보다 SiON이 High-k와의 계면결함이 좋나요?
2025.07.23
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안녕하세요, 반도체에서 수율이 몇%라도 끌어올리는게 중요하다고 알고 있습니다. 수율은 몇%끌어올리는 것이 좋고 또한 현재 수율 몇% 올리는 것을 목표로 하는지 알고 싶습니다.
안녕하세요, 삼성전자 하반기 채용과 관련해 궁금한 점이 있어 문의드립니다. 1. 채용공고를 보면 파운드리 사업부나 비메모리(시스템LSI) 사업부 관련 공고는 보이지 않는데, 이번에는 채용을 하지 않는 것인지, 아니면 메모리사업부 공정기술 직무에서 비메모리·파운드리 공정까지 함께 포함해 선발하는 것인지 궁금합니다. 2. 저는 메모리사업부 공정기술 직무 지원을 준비 중인데, 자기소개서 지원동기에서 차량용 반도체를 언급해도 괜찮을지 고민입니다. 차량용 반도체가 비메모리 쪽에 가깝다고 알고 있어 관련성이 떨어져 보일까 우려되는데, 지원동기와 연결하는 데 문제가 없을지 조언 부탁드립니다.
안녕하세요 반도체 업계 공정기술 직무를 희망하는 올해 2월 졸업생입니다! 제가 저번달부터 PCB 공정기술 채용연계형 3개월 인턴으로 입사를 하게 됐는데, 정규직 전환은 확정된걸로 전달을 받았습니다. 그런데 저는 원래 반도체쪽으로 계속 준비,희망하기도 했고 인턴지원을 할 때는 직무 역량을 쌓고자 지원을 했던 것이 커서... 인턴기간이 끝나면 계속 다니는 것이 좋을지 아니면 그만두고 다시 취업준비를 하는게 좋을지 고민이 되는 상황입니다. 다니면서 계속 지원하는게 좋을 것 같긴 한데 회사가 정말 야근을 매일하고(인턴이라 지금은 야근을 안 하지만) 항상 바빠서, 정규직을 다니면서 제대로 신입지원 취업 준비를 할 수 있을지 의문이더라고요(요즘 인적성 ai면접 채용단계가 너무 복잡하다보니..) 무엇보다 PCB가 사양산업이어서 이쪽분야로 커리어를 쌓을 생각이 없습니다.. 그래서 3개월 인턴만 3개월 인턴 + 정규직 2~3개월 후 퇴사 6개월지나도 다니면서 취준 중 고민중인데 어떻게 생각하시나요?
안녕하세요, 반도체에서 수율이 몇%라도 끌어올리는게 중요하다고 알고 있습니다. 수율은 몇%끌어올리는 것이 좋고 또한 현재 수율 몇% 올리는 것을 목표로 하는지 알고 싶습니다.
안녕하세요, 삼성전자 하반기 채용과 관련해 궁금한 점이 있어 문의드립니다. 1. 채용공고를 보면 파운드리 사업부나 비메모리(시스템LSI) 사업부 관련 공고는 보이지 않는데, 이번에는 채용을 하지 않는 것인지, 아니면 메모리사업부 공정기술 직무에서 비메모리·파운드리 공정까지 함께 포함해 선발하는 것인지 궁금합니다. 2. 저는 메모리사업부 공정기술 직무 지원을 준비 중인데, 자기소개서 지원동기에서 차량용 반도체를 언급해도 괜찮을지 고민입니다. 차량용 반도체가 비메모리 쪽에 가깝다고 알고 있어 관련성이 떨어져 보일까 우려되는데, 지원동기와 연결하는 데 문제가 없을지 조언 부탁드립니다.
안녕하세요 반도체 업계 공정기술 직무를 희망하는 올해 2월 졸업생입니다! 제가 저번달부터 PCB 공정기술 채용연계형 3개월 인턴으로 입사를 하게 됐는데, 정규직 전환은 확정된걸로 전달을 받았습니다. 그런데 저는 원래 반도체쪽으로 계속 준비,희망하기도 했고 인턴지원을 할 때는 직무 역량을 쌓고자 지원을 했던 것이 커서... 인턴기간이 끝나면 계속 다니는 것이 좋을지 아니면 그만두고 다시 취업준비를 하는게 좋을지 고민이 되는 상황입니다. 다니면서 계속 지원하는게 좋을 것 같긴 한데 회사가 정말 야근을 매일하고(인턴이라 지금은 야근을 안 하지만) 항상 바빠서, 정규직을 다니면서 제대로 신입지원 취업 준비를 할 수 있을지 의문이더라고요(요즘 인적성 ai면접 채용단계가 너무 복잡하다보니..) 무엇보다 PCB가 사양산업이어서 이쪽분야로 커리어를 쌓을 생각이 없습니다.. 그래서 3개월 인턴만 3개월 인턴 + 정규직 2~3개월 후 퇴사 6개월지나도 다니면서 취준 중 고민중인데 어떻게 생각하시나요?
답변 6
채택된 답변지원자님 안녕하세요~! DRAM 공정에서 High-k 물질을 증착하기 전에 IL(Interfacial Layer)을 SiO₂에서 SiON으로 질화하는 이유에 대해 궁금하셨군요~ 정말 중요한 부분을 짚으셨어요! 결론부터 말씀드리면, SiON은 SiO₂보다 High-k 물질과의 계면 특성을 개선하는 데 더 유리한 경우가 많아서 적용됩니다~ 특히 DRAM처럼 Gate Leakage에 민감한 공정에서는 이 계면이 디바이스 성능과 신뢰성에 직결되기 때문에 더 신중하게 설계돼요~ 일단 SiO₂는 전통적으로 우수한 절연 특성을 갖고 있어서 MOS 소자의 게이트 산화막으로 오랫동안 사용됐죠~ 그런데 High-k 물질(HfO₂ 등)을 바로 SiO₂ 위에 증착하면 계면에서의 결함 상태(dangling bond, oxygen vacancy 등)가 생기기 쉬워요. 그 결과로 C-V 특성 열화, Vₜ 불균일, 신뢰성 저하 등이 발생할 수 있어요. 이때 SiON은 산화막에 질소를 도입해 만든 계면층인데요~ 질소가 들어가면 – 계면 trap 밀도를 줄일 수 있고 – 기계적/화학적 안정성도 더 좋아지고 – 열적 안정성도 향상돼서 후공정 thermal budget에도 더 잘 견딜 수 있어요~ 즉, SiON은 High-k 물질과 기판 사이에서 buffer 역할을 하면서도 trap 억제, leakage current 저감, 신뢰성 향상 등 여러 장점을 제공합니다~! 게다가 HfO₂ 같은 High-k 물질은 Si 기판과 반응해서 silicate 계열 물질을 만들 수 있는데, 이걸 막는 데에도 SiON이 더 효과적이에요~ 이런 이유로 High-k/Metal gate 구조에서 IL을 SiON으로 바꾸는 건 DRAM 트랜지스터의 성능을 유지하면서도 더 얇고 안정적인 게이트 절연막 구조를 구현하기 위한 핵심 전략 중 하나랍니다~ 도움이 되셨다면 채택 부탁드려요~ 응원합니다~!
멘티님, DRAM 공정에서 High-k 유전체를 증착하기 전 Initial Layer로 SiO2 대신 SiON을 질화하는 목적은 주로 계면 안정성 및 결함 저감에 있습니다. SiO2는 화학적, 열적으로 안정적이고 실리콘 기판과 높은 접착력을 가진 반면, SiON은 SiO2 대비 더 조밀하고 수분 및 알카리 금속 이온 침투에 강한 특성을 가지고 있어 고유전율 재료(High-k)와의 계면 결함을 줄이는 데 유리합니다. SiON은 PECVD 공정으로 형성하며, SiO2보다 낮은 기계적 스트레스를 가지면서 외부 불순물 침투를 보다 확실히 차단하여 소자의 신뢰성 향상에 기여합니다. 또한 SiON은 SiO2에 비해 빛의 반사 및 흡수를 제어하는 데도 유리해, 포토공정에서 고해상도 제조를 가능하게 해줍니다. High-k 물질(HfO2 등)과의 계면에서 발생할 수 있는 결함과 전하 트랩을 완화시켜 전류 누설 감소와 소자 성능 안정성 강화에 도움을 줍니다. 따라서 SiON은 SiO2보다 High-k와의 계면 결함이 적고, 전기적 및 열적 특성 면에서도 최적화된 Initial Layer로 많이 활용되고 있습니다. 요약하면, SiON 질화층은 High-k 유전체와 실리콘 기판 사이의 계면 품질을 개선하고 누설 전류를 줄이며, 외부 불순물 침투와 기계적 스트레스를 감소시키는 역할을 하여 DRAM 트랜지스터의 신뢰성과 성능 향상에 기여합니다. 채택부탁드립니다!
